单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiRohm Semiconductor
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）360mA（Ta）2A（Ta）6.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 2A，10V530 毫欧 @ 3.3A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V3 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 5 V15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14.1 pF @ 15 V50 pF @ 10 V350 pF @ 10 V470 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）1W（Ta）2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
SOT-523TO-236ABTO-252AATUMT6
封装/外壳
6-SMD，扁平引线SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
838,307
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33411
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-523
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Diodes Incorporated
70,223
现货
2,256,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.44806
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
230mA（Ta）
1.2V，4.5V
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±10V
14.1 pF @ 15 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
TUMT6_TUMT6 Pkg
RSL020P03FRATR
MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
Rohm Semiconductor
13,457
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.79603
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2A（Ta）
10V
120 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 1mA
3.9 nC @ 5 V
±20V
350 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TUMT6
6-SMD，扁平引线
TO-252AA
FQD8P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥10.92000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.52626
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Tc）
10V
530 毫欧 @ 3.3A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
470 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），44W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。