单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）400mA（Tc）2.2A（Ta）2.3A（Tc）2.8A（Tc）3.8A（Ta）5.4A（Ta）8A（Tc）10.4A（Ta）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 10A，10V19 毫欧 @ 8A，10V21.5 毫欧 @ 10A，10V31 毫欧 @ 7.9A，10V40 毫欧 @ 8.2A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V90 毫欧 @ 2.2A，4.5V150 毫欧 @ 2.3A，10V170 毫欧 @ 2.4A，10V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 4.5 V5.3 nC @ 10 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V22.2 nC @ 10 V24.2 nC @ 5 V25 nC @ 10 V32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 30 V50 pF @ 15 V205 pF @ 30 V290 pF @ 10 V553 pF @ 20 V563 pF @ 25 V620 pF @ 30 V1200 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V1407 pF @ 40 V1522 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
270mW（Ta），1.3W（Tc）350mW（Ta），1.14W（Tc）650mW（Ta）1.08W（Ta）1.2W（Ta）2W（Ta）2W（Tc）3W（Tc）48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TA）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPowerPAK® SO-8SOT-223-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,128
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3200U-7
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
67,270
现货
582,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99221
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.2A（Ta）
1.5V，4.5V
90 毫欧 @ 2.2A，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
290 pF @ 10 V
-
650mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2308CES-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
61,170
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77589
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Tc）
4.5V，10V
150 毫欧 @ 2.3A，10V
2.5V @ 250µA
5.3 nC @ 10 V
±20V
205 pF @ 30 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
NX6008NBKR
NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
63,069
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29391
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
1.5V，4.5V
2.8 欧姆 @ 300mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
27 pF @ 30 V
-
270mW（Ta），1.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
NX3008NBK,215
MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
300,330
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
400mA（Tc）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8 SO
DMT6012LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Diodes Incorporated
7,794
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.19624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.4A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1522 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-223-3
ZXMN6A09GTA
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Diodes Incorporated
4,991
现货
53,000
工厂
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.39578
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.4A（Ta）
10V
40 毫欧 @ 8.2A，10V
3V @ 250µA
24.2 nC @ 5 V
±20V
1407 pF @ 40 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
PowerPak SO-8L
SQJA86EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,000
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.45099
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJA96EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,473
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.45099
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
10V
21.5 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
SQ2318AES-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
55,009
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Tc）
4.5V，10V
31 毫欧 @ 7.9A，10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
553 pF @ 20 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2361AEES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Vishay Siliconix
48,325
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77589
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.8A（Tc）
10V
170 毫欧 @ 2.4A，10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 30 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
-
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2308CES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Vishay Siliconix
31,078
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86683
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.3A（Tc）
4.5V，10V
150 毫欧 @ 2.3A，10V
2.5V @ 250µA
5.3 nC @ 10 V
±20V
205 pF @ 30 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。