单 FET，MOSFET

结果 : 17
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-EHEXFET®MDmesh™ K5OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™-5TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V12 V20 V25 V30 V40 V60 V80 V100 V800 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）630mA（Ta）1.7A（Tc）2A（Tc）3.5A（Ta）4.6A（Tc）10A（Ta）12A（Tc）17，4A（Tc）18A（Tc）35A（Ta），40A（Tc）40A（Tc）49A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，8V2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V7V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.6 毫欧 @ 60A，10V1.1毫欧 @ 20A，10V6.2毫欧 @ 45A，10V11 毫欧 @ 9.7A，4.5V11.7 毫欧 @ 25A，10V16.2 毫欧 @ 4A，8V29 毫欧 @ 6.7A，4.5V55 毫欧 @ 2.4A，4.5V60 毫欧 @ 24A，10V65 毫欧 @ 4.2A，4.5V75 毫欧 @ 3A，10V110 毫欧 @ 10A，10V235 毫欧 @ 11A，10V240 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.25V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 130µA3.8V @ 22µA3.8V @ 59µA4V @ 250µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V2 nC @ 8 V2.5 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V16 nC @ 10 V18 nC @ 10 V19.5 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V32 nC @ 5 V36 nC @ 10 V50 nC @ 10 V57 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±5V±8V±10V±12V±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
43 pF @ 10 V50 pF @ 10 V105 pF @ 100 V330 pF @ 25 V450 pF @ 15 V620 pF @ 20 V1000 pF @ 10 V1050 pF @ 80 V1300 pF @ 40 V1388 pF @ 100 V1400 pF @ 6 V1800 pF @ 4 V1800 pF @ 10 V2700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
240mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）510mW（Ta），4.15W（Tc）1.25W（Ta）2.1W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）2.5W（Tc）3W（Tc）3.3W（Tc）3.5W（Ta），19W（Tc）32W（Tc）45W（Tc）70W115W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）DPAKPG-TDSON-8-34PG-TDSON-8-53PG-TDSON-8-7PG-TSDSON-8-34PowerPAK® SC-70-6SC-70-6SC-75ASOT-23-3（TO-236）TO-220ABTO-236ABTO-263（D2PAK）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3636-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SC-70-6SC-75，SOT-416TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
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/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
840,441
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33411
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6,003
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.64488
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
49A（Tc）
6V，10V
11.7 毫欧 @ 25A，10V
3.8V @ 22µA
18 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3N95K5AG
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
STMicroelectronics
3,704
现货
1 : ¥15.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.76032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
2A（Tc）
10V
5 欧姆 @ 1A，10V
5V @ 100µA
3.4 nC @ 10 V
±30V
105 pF @ 100 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
3,560
现货
1 : ¥19.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
2,561
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99473
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
10A（Ta）
1.8V，8V
16.2 毫欧 @ 4A，8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
SC-70-6
SQ1470AEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Vishay Siliconix
270,532
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34126
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.7A（Tc）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.6V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±12V
450 pF @ 15 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
Pkg 5868
SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
Vishay Siliconix
85,084
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.5V，4.5V
396 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
2 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
240mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75，SOT-416
TO-236AB
PMV48XPAR
MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
5,132
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40628
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
2.5V，4.5V
55 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.25V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
1000 pF @ 10 V
-
510mW（Ta），4.15W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA414DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
17,677
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.77081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
12A（Tc）
1.2V，4.5V
11 毫欧 @ 9.7A，4.5V
800mV @ 250µA
32 nC @ 5 V
±5V
1800 pF @ 4 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT-23(TO-236)
SQ2364EES-T1_BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
6,664
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77589
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Tc）
1.5V，4.5V
240 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 25 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MBRD6100CT-TP
MCU18P10Y-TP
MOSFET P-CH 100V 18A DPAK
Micro Commercial Co
3,871
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.61958
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tc）
-
110 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 80 V
-
70W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TDSON-8-34
IAUC90N10S5N062ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34
Infineon Technologies
7,492
现货
1 : ¥17.57000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.62251
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
6.2毫欧 @ 45A，10V
3.8V @ 59µA
36 nC @ 10 V
±20V
3275 pF @ 50 V
-
115W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
PowerPak SC-70-6 Single
SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
167,339
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.77081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
12A（Tc）
1.5V，4.5V
29 毫欧 @ 6.7A，4.5V
1V @ 250µA
57 nC @ 8 V
±8V
1800 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
TO-263AB
SIHB21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Vishay Siliconix
960
现货
1 : ¥16.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
17，4A（Tc）
10V
235 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±30V
1388 pF @ 100 V
-
32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-23-3
SQ2319ADS-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
13,183
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.6A（Tc）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 20 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
66
现货
1 : ¥23.07000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.77947
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tj）
7V，10V
0.6 毫欧 @ 60A，10V
3V @ 130µA
151 nC @ 10 V
±20V
10117 pF @ 25 V
-
187W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-53
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ011NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Infineon Technologies
9
现货
1 : ¥21.43000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.00087
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
35A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
1.1毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±16V
3400 pF @ 12 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-34
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。