单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-CoolMOS™ CE
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Ta）5A（Tc）6.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 6.5A，10V50 毫欧 @ 4.5A，10V1.5 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.4 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V12.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 100 V620 pF @ 15 V643 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）1.8W（Ta）49W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3TSOT-23-6TSOT-26
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD60R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Infineon Technologies
11,475
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.95311
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
5A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.1A，10V
3.5V @ 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
49W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
AP6320x
DMN3026LVT-7
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Diodes Incorporated
13,694
现货
21,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81085
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.6A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 6.5A，10V
2V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
643 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TSOT-26
DMP3050LVT-7
MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
Diodes Incorporated
15,968
现货
930,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12437
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.5A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 4.5A，10V
2V @ 250µA
10.5 nC @ 10 V
±25V
620 pF @ 15 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。