单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Infineon TechnologiesInternational RectifierNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V55 V60 V75 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）14A（Tc）17A（Tc）31A（Tc）36A（Tc）49A（Tc）50A（Tc）53A（Tc）55A（Tc）82A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V10V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 140A，10V13 毫欧 @ 43A，10V14.8 毫欧 @ 15A，10V16.5 毫欧 @ 28A，10V17.5 毫欧 @ 25A，10V18 毫欧 @ 27.5A，10V26 毫欧 @ 5A，10V28 毫欧 @ 31A，10V44 毫欧 @ 18A，10V65 毫欧 @ 16A，10V75 毫欧 @ 10A，10V200 毫欧 @ 8.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 1mA4V @ 1mA4V @ 250µA4.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19.4 nC @ 10 V20 nC @ 10 V20.9 nC @ 10 V37 nC @ 4.5 V58 nC @ 10 V63 nC @ 10 V67 nC @ 10 V72 nC @ 10 V74 nC @ 5 V160 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
370 pF @ 25 V760 pF @ 25 V880 pF @ 15 V1200 pF @ 25 V1220 pF @ 30 V1470 pF @ 25 V1696 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V1900 pF @ 25 V3820 pF @ 25 V9370 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
760mW（Ta）3.7W（Ta），150W（Tc）3.8W（Ta），107W（Tc）3.8W（Ta），94W（Tc）45W（Tc）79W（Tc）86W（Tc）94W（Tc）95W（Tc）110W（Tc）140W（Tc）150W（Tc）230W（Tc）370W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TO252-3TO-220ABTO-252AA (DPAK)TO-263（D2PAK）TSMT3
封装/外壳
SC-96TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
162,458
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.40744
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
31,520
现货
1 : ¥7.63000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO252-3
IRFR5305TRPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Infineon Technologies
9,938
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.39541
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
26,038
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRL540NPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Infineon Technologies
11,943
现货
1 : ¥11.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
36A（Tc）
4V，10V
44 毫欧 @ 18A，10V
2V @ 250µA
74 nC @ 5 V
±16V
1800 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TSMT3
RQ5E050ATTCL
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Rohm Semiconductor
13,559
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.55981
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
4.5V，10V
26 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 1mA
19.4 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 15 V
-
760mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
TO-220AB
IRFZ44PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Vishay Siliconix
9,470
现货
1 : ¥11.33000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D2PAK SOT404
PSMN015-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Nexperia USA Inc.
12,393
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
800 : ¥6.17653
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
14.8 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
20.9 nC @ 10 V
±20V
1220 pF @ 30 V
-
86W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D²PAK
STB55NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
STMicroelectronics
2,235
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
1,000 : ¥6.96963
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
55A（Tc）
10V，5V
18 毫欧 @ 27.5A，10V
4.7V @ 250µA
37 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
95W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF2807STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Infineon Technologies
1,449
现货
1 : ¥15.52000
剪切带（CT）
800 : ¥8.66843
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
82A（Tc）
10V
13 毫欧 @ 43A，10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
3820 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IRFZ44SPBF
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Vishay Siliconix
1,044
现货
1 : ¥22.00000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO252-3
IRFR024NTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
3,492
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.92007
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
450
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3107TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥47.86000
剪切带（CT）
800 : ¥18.31850
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
195A（Tc）
10V
3 毫欧 @ 140A，10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9370 pF @ 50 V
-
370W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ46NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Infineon Technologies
7
现货
1 : ¥19.87000
剪切带（CT）
800 : ¥6.59429
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
53A（Tc）
10V
16.5 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1696 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。