单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™U-MOSVIU-MOSVIII-Hπ-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V45 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）2.5A（Ta）6A（Ta）9.5A（Ta）20A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V3.3V，10V4V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 50A，10V16 毫欧 @ 9.5A，10V22.2 毫欧 @ 10A，10V36 毫欧 @ 4A，10V130 毫欧 @ 2.5A，4.5V300 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V26.5 nC @ 5 V37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 10 V250 pF @ 10 V330 pF @ 10 V550 pF @ 10 V1830 pF @ 10 V1850 pF @ 10 V2600 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）1W（Ta）1.4W（Ta）1.8W（Ta）2.5W（Ta），69W（Tc）41W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPDPAK+PG-TDSON-8-6SOT-23FTSMT3UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-96SOT-23-3 扁平引线TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
244,104
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73442
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V，-20V
330 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
8-Power TDFN
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
17,084
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.83782
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TSMT3
RQ5H025TNTL
MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
10,111
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61443
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
130 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 1mA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
10,296
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27649
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta）
175°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
76,872
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33130
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
3.3V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
1,415
现货
1 : ¥15.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.31261
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20A（Ta）
6V，10V
22.2 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 1mA
37 nC @ 10 V
+10V，-20V
1850 pF @ 10 V
-
41W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-SOIC
RSS095N05HZGTB
NCH 45V 9.5A POWER MOSFET: RSS09
Rohm Semiconductor
2,250
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.61005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
9.5A（Ta）
4V，10V
16 毫欧 @ 9.5A，10V
2.5V @ 1mA
26.5 nC @ 5 V
±20V
1830 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。