单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）310mA（Ta）390mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1.5µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V56 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）250mW（Ta）350mW（Ta）
供应商器件封装
PG-SOT323SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,847
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
BSS223PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Infineon Technologies
76,232
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48134
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
390mA（Ta）
2.5V，4.5V
1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
1.2V @ 1.5µA
0.62 nC @ 4.5 V
±12V
56 pF @ 15 V
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
SC70, SOT−323, 419−04
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
47,709
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.67386
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。