单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）4A（Ta）9.3A（Ta）17A（Tc）64A（Tc）200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 20A，10V13 毫欧 @ 10A，10V14毫欧 @ 10，8A，10V50 毫欧 @ 4A，10V100 毫欧 @ 17A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 54µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V16 nC @ 10 V19 nC @ 10 V60.2 nC @ 10 V64 nC @ 10 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V340 pF @ 15 V1500 pF @ 25 V2300 pF @ 20 V2575 pF @ 10 V13500 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.3W（Ta）1.6W（Ta）107W（Tc）110W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOLFPAK56，Power-SO8PG-TO263-3-2PowerPAK® 8 x 8SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 8 x 8SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
430,205
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32700
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
36,065
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70596
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
50 毫欧 @ 4A，10V
1.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±12V
340 pF @ 15 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB17N25S3100ATMA1
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Infineon Technologies
7,735
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.81331
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
17A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 54µA
19 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 25 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y14-40PX
MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
630
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.17764
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
64A（Tc）
4.5V，10V
14毫欧 @ 10，8A，10V
3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 20 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
8 SO
DMP2022LSSQ-13
MOSFET P-CH 20V 9.3A 8SO
Diodes Incorporated
2,594
现货
245,000
工厂
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85938
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
9.3A（Ta）
2.5V，10V
13 毫欧 @ 10A，10V
1.1V @ 250µA
60.2 nC @ 10 V
±12V
2575 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPAK 8 x 8
SQJQ402E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥22.41000
剪切带（CT）
2,000 : ¥10.11731
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
200A（Tc）
4.5V，10V
1.7 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 20 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。