单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.2A（Ta）8.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 5.2A，4.5V315 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 4.5 V30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 75 V1575 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
550mW（Ta），6.25W（Tc）3.8W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPPowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SC-74，SOT-457
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN30XPX
MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
114,750
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.00728
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.2A（Ta）
1.5V，4.5V
34 毫欧 @ 5.2A，4.5V
900mV @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±12V
1575 pF @ 10 V
-
550mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SC-74，SOT-457
PowerPAK 1212-8
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11,035
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.12542
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
8.9A（Tc）
7.5V，10V
315 毫欧 @ 2.4A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
880 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。