单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™QFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V55 V60 V100 V120 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）190mA（Ta）600mA（Ta）1.4A（Ta）6.6A（Tc）9.4A（Tc）10A（Tc）13A（Tc）17A（Tc）18A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V1.8V，4.5V4V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 100A，10V75 毫欧 @ 10A，10V110 毫欧 @ 10A，10V160 毫欧 @ 1.4A，2.5V185 毫欧 @ 4.7A，10V185 毫欧 @ 6A，10V210 毫欧 @ 5.6A，10V295 毫欧 @ 6.6A，10V480 毫欧 @ 3.9A，10V900 毫欧 @ 430mA，4.5V4.5 欧姆 @ 100mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 3.7µA1V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 2.5 V17 nC @ 10 V20 nC @ 5 V20 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27 nC @ 10 V66 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 10 V45 pF @ 25 V175 pF @ 16 V180 pF @ 10 V330 pF @ 25 V350 pF @ 25 V370 pF @ 25 V440 pF @ 25 V550 pF @ 25 V860 pF @ 25 V1050 pF @ 80 V13800 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
265mW（Ta）300mW（Ta）500mW（Ta）550mW（Ta）2.5W（Ta），38W（Tc）40W（Tc）45W（Tc）48W（Tc）70W110W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPG-SOT323PG-TO263-3SOT-23-3TO-236ABTO-252AATO-252AA (DPAK)
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
445,319
现货
13,821,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32715
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
120,396
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.4A（Ta）
1.8V，2.5V
160 毫欧 @ 1.4A，2.5V
750mV @ 3.7µA
0.6 nC @ 2.5 V
±8V
180 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
TO252-3
IRFR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
162,458
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.40744
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Infineon Technologies
24,092
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.26185
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9.4A（Tc）
10V
210 毫欧 @ 5.6A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Infineon Technologies
12,564
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.38634
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10A（Tc）
4V，10V
185 毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±16V
440 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
onsemi
4,417
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71457
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.4A（Tc）
10V
185 毫欧 @ 4.7A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR6215TRPBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Infineon Technologies
4,416
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.76603
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
13A（Tc）
10V
295 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-236AB
NX7002AKVL
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
24,852
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.16734
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
943,815
现货
645,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32203
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MBRD6100CT-TP
MCU18P10Y-TP
MOSFET P-CH 100V 18A DPAK
Micro Commercial Co
3,736
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.61949
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tc）
-
110 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 80 V
-
70W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR9120NTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Infineon Technologies
7,828
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.86285
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Tc）
10V
480 毫欧 @ 3.9A，10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB038N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Infineon Technologies
540
现货
1 : ¥51.72000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.32363
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
120A（Tc）
10V
3.8 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 270µA
211 nC @ 10 V
±20V
13800 pF @ 60 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。