单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®STripFET™ IITrenchMOS™
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）37.2A（Tc）38A（Tc）48A（Tc）49A（Tc）50A（Tc）51A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.7 毫欧 @ 25A，10V12 毫欧 @ 13.5A，10V13.9 毫欧 @ 31A，10V17.5 毫欧 @ 25A，10V18 毫欧 @ 27.5A，10V23 毫欧 @ 29A，10V28 毫欧 @ 19A，10V28 毫欧 @ 31A，10V70 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V33.5 nC @ 10 V43 nC @ 10 V58 nC @ 10 V60 nC @ 10 V63 nC @ 10 V67 nC @ 10 V95.6 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
370 pF @ 25 V980 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1360 pF @ 25 V1420 pF @ 25 V1470 pF @ 25 V1900 pF @ 25 V1925 pF @ 30 V7665 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta），25W（Tc）45W（Tc）80W（Tc）94W（Tc）110W（Tc）150W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220TO-220-3TO-220ABTO-262
封装/外壳
TO-220-3TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
26,067
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Infineon Technologies
8,272
现货
1 : ¥5.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRFZ44PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Vishay Siliconix
9,471
现货
1 : ¥11.33000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP55NF06
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
STMicroelectronics
37,689
现货
1 : ¥12.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 27.5A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP45NF06
MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB
STMicroelectronics
2,078
现货
1 : ¥13.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
38A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 19A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
980 pF @ 25 V
-
80W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
IRFZ44RPBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Vishay Siliconix
1,479
现货
1 : ¥22.00000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44EPBF
MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Infineon Technologies
12,664
现货
1 : ¥17.32000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
48A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 29A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1360 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-262-3
IRFZ44ZLPBF
MOSFET N-CH 55V 51A TO262
Infineon Technologies
987
现货
1 : ¥17.90000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
51A（Tc）
10V
13.9 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1420 pF @ 25 V
-
80W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
TO-220AB
PHP191NQ06LT,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Nexperia USA Inc.
2,202
现货
1 : ¥25.61000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
75A（Tc）
10V
3.7 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 1mA
95.6 nC @ 5 V
±15V
7665 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
DMT6009LCT
MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
Diodes Incorporated
893
现货
7,650
工厂
1 : ¥6.98000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
37.2A（Tc）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 13.5A，10V
2V @ 250µA
33.5 nC @ 10 V
±16V
1925 pF @ 30 V
-
2.2W（Ta），25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。