单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-HEXFET®NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V55 V60 V80 V100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）9.3A（Tc）17A（Tc）24A（Ta），100A（Tc）38A（Tc）40A（Tc）42A（Tc）49A（Tc）74A（Tc）85A（Tc）86A（Tc）90A（Tc）110A（Tc）150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.9 毫欧 @ 100A，10V3.8 毫欧 @ 100A，6V4 毫欧 @ 121A，10V5.8 毫欧 @ 25A，10V7 毫欧 @ 50A，10V8 毫欧 @ 62A，10V15 毫欧 @ 33A，10V17.5 毫欧 @ 25A，10V20 毫欧 @ 38A，10V20 毫欧 @ 42A，10V60 毫欧 @ 24A，10V60 毫欧 @ 38A，10V75 毫欧 @ 10A，10V300 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.35V @ 50µA2.8V @ 75µA3.2V @ 250µA3.5V @ 75µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 10 V20 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V55 nC @ 10 V56 nC @ 10 V63 nC @ 10 V76 nC @ 10 V110 nC @ 10 V146 nC @ 10 V180 nC @ 10 V196 nC @ 10 V230 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.6 pF @ 10 V370 pF @ 25 V575 pF @ 25 V1470 pF @ 25 V2150 pF @ 15 V2700 pF @ 25 V2780 pF @ 25 V3247 pF @ 25 V3400 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V4000 pF @ 50 V4100 pF @ 30 V4460 pF @ 25 V5669 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta），1.67W（Tc）3W（Ta），136W（Tc）3.1W（Ta），170W（Tc）45W（Tc）75W（Tc）82W（Tc）94W（Tc）114W（Tc）170W（Tc）200W（Tc）300W（Tc）333W（Tc）350W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKPG-TDSON-8-1PG-TO220-3TO-220-3TO-220ABTO-236ABTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
显示
/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
162,458
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.40753
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
17,708
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.70863
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
86A（Tc）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 25A，10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
26,071
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PG-TDSON-8-1
BSC070N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Infineon Technologies
15,723
现货
1 : ¥16.26000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.05170
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 50 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-220AB PKG
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Infineon Technologies
40,275
现货
1 : ¥17.40000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
74A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
7,430
现货
1 : ¥19.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Infineon Technologies
7,185
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
800 : ¥12.42841
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
42A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 42A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4321TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Infineon Technologies
6,018
现货
1 : ¥28.98000
剪切带（CT）
800 : ¥17.49786
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
85A（Tc）
10V
15 毫欧 @ 33A，10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4460 pF @ 25 V
-
350W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF5210STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Infineon Technologies
2,482
现货
1 : ¥33.25000
剪切带（CT）
800 : ¥11.97288
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
38A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 38A，10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
2780 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-236AB
NX7002BKR
MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
111,494
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28091
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
310mW（Ta），1.67W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220AB PKG
IRF630NPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Infineon Technologies
7,659
现货
1 : ¥9.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9.3A（Tc）
10V
300 毫欧 @ 5.4A，10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
575 pF @ 25 V
-
82W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1404PBF
MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Infineon Technologies
2,090
现货
1 : ¥12.40000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
202A（Tc）
10V
4 毫欧 @ 121A，10V
4V @ 250µA
196 nC @ 10 V
±20V
5669 pF @ 25 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
CSD19505KCS
MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
Texas Instruments
484
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
150A（Ta）
6V，10V
3.8 毫欧 @ 100A，6V
3.2V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±20V
7820 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥12.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
110A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 62A，10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IPP029N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥22.25000
管件
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
24A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.9 毫欧 @ 100A，10V
2.8V @ 75µA
56 nC @ 10 V
±20V
4100 pF @ 30 V
-
3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。