单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	75,647 现货	1 : ¥1.23000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.20992 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	190mA（Ta），300mA（Tc）	5V，10V	4.5 欧姆 @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW（Ta），1.33W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-236AB	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRFR024NTRPBF MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies	162,458 现货	1 : ¥5.09000 剪切带（CT） 2,000 : ¥2.40753 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	17A（Tc）	10V	75 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	370 pF @ 25 V	-	45W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9024NTRPBF MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Infineon Technologies	21,339 现货	1 : ¥7.72000 剪切带（CT） 2,000 : ¥3.17642 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	11A（Tc）	10V	175 毫欧 @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR120NTRPBF MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Infineon Technologies	24,112 现货	1 : ¥7.88000 剪切带（CT） 2,000 : ¥3.26196 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.4A（Tc）	10V	210 毫欧 @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9120NTRPBF MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Infineon Technologies	21,593 现货	1 : ¥8.13000 剪切带（CT） 2,000 : ¥3.37518 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.6A（Tc）	10V	480 毫欧 @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9220TRPBF MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK Vishay Siliconix	8,055 现货	1 : ¥10.67000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.41080 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	3.6A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD5N25S3430ATMA1 MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3 Infineon Technologies	7,783 现货	1 : ¥11.33000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.69489 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	5A（Tc）	10V	430 毫欧 @ 5A，10V	4V @ 13µA	6.2 nC @ 10 V	±20V	422 pF @ 25 V	-	41W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PG-TO252-3-313	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR6215TRPBF MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Infineon Technologies	4,416 现货	1 : ¥11.49000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.76620 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	13A（Tc）	10V	295 毫欧 @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF5210STRLPBF MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK Infineon Technologies	2,482 现货	1 : ¥33.25000 剪切带（CT） 800 : ¥11.97288 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	38A（Tc）	10V	60 毫欧 @ 38A，10V	4V @ 250µA	230 nC @ 10 V	±20V	2780 pF @ 25 V	-	3.1W（Ta），170W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
CSD19536KCS MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Texas Instruments	1,527 现货	1 : ¥36.29000 管件	NexFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	150A（Ta）	6V，10V	2.7 毫欧 @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	153 nC @ 10 V	±20V	12000 pF @ 50 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
BVSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	59,060 现货	1 : ¥2.96000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.53911 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	50 V	200mA（Ta）	5V	3.5 欧姆 @ 200mA，5V	1.5V @ 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3（TO-236）	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRFR220PBF MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK Vishay Siliconix	2,285 现货	1 : ¥7.31000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	4.8A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 2.9A，10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	260 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9220PBF MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK Vishay Siliconix	626 现货	1 : ¥14.45000 管件	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	3.6A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR220TRLPBF MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK Vishay Siliconix	5,880 现货	1 : ¥7.39000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.05145 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	4.8A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 2.9A，10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	260 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NTHL025N065SC1 SIC MOS TO247-3L 650V onsemi	167 现货	1 : ¥162.72000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	99A（Tc）	15V，18V	28.5 毫欧 @ 45A，18V	4.3V @ 15.5mA	164 nC @ 18 V	+22V，-8V	3480 pF @ 325 V	-	348W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
IRFR220NTRLPBF MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Infineon Technologies	18,646 现货	1 : ¥11.58000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.00178 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	最后售卖	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	5A（Tc）	10V	600 毫欧 @ 2.9A，10V	4V @ 250µA	23 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 25 V	-	43W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR220 MOSFET N-CH 200V 4.6A TO252AA Harris Corporation	528 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	4.6A（Tc）	-	800 毫欧 @ 2.4A，10V	4V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63