单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
20 V25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Ta）50A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V3V，8V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 18.3A，10V4 毫欧 @ 24A，8V20 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA1.4V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.4 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V78 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 10 V1300 pF @ 12.5 V4200 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）3W（Ta）5.2W（Ta），104W（Tc）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）10-PolarPAK®（S）SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-PowerTDFN10-PolarPAK®（S）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AOSS32136C
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
203,749
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83116
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.5A（Ta）
2.5V，4.5V
20 毫欧 @ 6.5A，4.5V
1.25V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
660 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
8-Power TDFN
CSD16327Q3
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Texas Instruments
13,450
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.33582
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
60A（Tc）
3V，8V
4 毫欧 @ 24A，8V
1.4V @ 250µA
8.4 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1300 pF @ 12.5 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
Pkg 5847
SIE822DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
50A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 18.3A，10V
3V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 10 V
-
5.2W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
10-PolarPAK®（S）
10-PolarPAK®（S）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。