SIE822DF-T1-GE3 | |
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DigiKey 零件编号 | SIE822DF-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) SIE822DF-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) SIE822DF-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIE822DF-T1-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 20 V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK®(S) |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 20 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.4 毫欧 @ 18.3A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 78 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4200 pF @ 10 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 5.2W(Ta),104W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | 10-PolarPAK®(S) | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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