单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA（Ta）820mA（Ta）4.3A（Ta）7.9A（Ta）10.5A（Ta）12A（Ta）12.5A（Ta）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.8 毫欧 @ 50A，10V8.6 毫欧 @ 12.5A，4.5V9mOhm @ 10A，4.5V9.6 毫欧 @ 12A，4.5V12 毫欧 @ 10.5A，4.5V45 毫欧 @ 4A，4.5V750 毫欧 @ 430mA，4.5V2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.4V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V0.81 nC @ 5 V6.8 nC @ 4.5 V26.7 nC @ 4.5 V40 nC @ 4.5 V46 nC @ 4.5 V103 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V59.76 pF @ 16 V634 pF @ 10 V2121 pF @ 6 V2200 pF @ 6 V2700 pF @ 6 V2790 pF @ 10 V9600 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）310mW（Ta）800mW（Ta）860mW（Ta）1W（Ta），170W（Tc）1.9W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）8-DSOP AdvanceDFN2020M-6DFN2020MD-6SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
6-PowerWDFN6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
247,175
现货
2,187,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMP2045U-7
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
74,819
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65386
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
45 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
10,052
现货
1 : ¥31.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.94983
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
150A（Tc）
4.5V，10V
0.8 毫欧 @ 50A，10V
2.4V @ 1mA
103 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 20 V
-
1W（Ta），170W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
SOT 23-3
2N7002ET7G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
25,750
现货
45,500
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,500 : ¥0.28404
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
40 pF @ 25 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB09R5VPX
PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Nexperia USA Inc.
9,776
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15944
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
10.5A（Ta）
1.5V，4.5V
12 毫欧 @ 10.5A，4.5V
900mV @ 250µA
46 nC @ 4.5 V
±8V
2700 pF @ 6 V
-
1.9W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB07R3VPX
PMPB07R3VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Nexperia USA Inc.
3,559
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47035
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
12.5A（Ta）
1.8V，4.5V
8.6 毫欧 @ 12.5A，4.5V
900mV @ 250µA
40 nC @ 4.5 V
±8V
2121 pF @ 6 V
-
1.9W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS7D2P02P8ZTAG
MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
onsemi
24,460
现货
9,000
工厂
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.56556
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7.9A（Ta）
2.5V，4.5V
9mOhm @ 10A，4.5V
1.5V @ 250µA
26.7 nC @ 4.5 V
±8V
2790 pF @ 10 V
-
860mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-PQFN（2x2）
6-PowerWDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB08R4VPX
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Nexperia USA Inc.
3,640
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.37068
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
12A（Ta）
-
9.6 毫欧 @ 12A，4.5V
900mV @ 250µA
40 nC @ 4.5 V
±8V
2200 pF @ 6 V
-
1.9W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。