单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®ThunderFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）5.7A（Ta）7.7A（Tc）24A（Ta），76A（Tc）30A（Tc）46A（Tc）60A（Tc）131A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V6V，10V7.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 24A，10V5.6 毫欧 @ 30A，10V6.6 毫欧 @ 20A，10V10 毫欧 @ 15A，10V29 毫欧 @ 10A，10V52 毫欧 @ 6A，10V59 毫欧 @ 1A，4.5V177 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 10 V17 nC @ 8 V21.5 nC @ 10 V25 nC @ 10 V80 nC @ 10 V81 nC @ 10 V101 nC @ 10 V144 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±5V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
230 pF @ 75 V611 pF @ 50 V1258 pF @ 30 V2866 pF @ 50 V3330 pF @ 50 V4150 pF @ 20 V7005 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3.2W（Ta），125W（Tc）3.2W（Ta），40W（Tc）3.5W（Ta），19W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）5W（Ta），39W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
4-Microfoot8-PQFN（5x6）8-WDFN（3.3x3.3）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8TO-263（D2PAK）
封装/外壳
4-UFBGA8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-WDFN
NTTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
onsemi
14,385
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.48435
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.7A（Ta）
4.5V，10V
52 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerPAK 1212-8
SIS892DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
3,753
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.20649
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±20V
611 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-PQFN TOP
FDMS86300DC
MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
onsemi
2,339
现货
1 : ¥30.95000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.18733
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
24A（Ta），76A（Tc）
8V，10V
3.1 毫欧 @ 24A，10V
4.5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±20V
7005 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PowerPak SC-70-6 Single
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Vishay Siliconix
10,036
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.91420
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
7.7A（Tc）
6V，10V
177 毫欧 @ 3A，10V
3.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
230 pF @ 75 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK SO-8
SI7463ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,384
现货
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.13123
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
46A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 15A，10V
2.3V @ 250µA
144 nC @ 10 V
±20V
4150 pF @ 20 V
-
5W（Ta），39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
4Microfoot
SI8812DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
2,683
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15578
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.2V，4.5V
59 毫欧 @ 1A，4.5V
1V @ 250µA
17 nC @ 8 V
±5V
-
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-Microfoot
4-UFBGA
TO-263 (D2Pak)
SUM70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Vishay Siliconix
629
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
800 : ¥9.18041
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
131A（Tc）
7.5V，10V
5.6 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PowerPAK SO-8
SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥16.50000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.44405
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。