单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1.1A（Ta）5.3A（Ta）8.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
38 毫欧 @ 4.3A，10V155 毫欧 @ 5A，10V450 毫欧 @ 1.1A，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5 nC @ 10 V19 nC @ 10 V22.4 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V130 pF @ 40 V450 pF @ 25 V1287 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）400mW（Ta），6.25W（Tc）660mW（Ta）1.7W（Ta），20.8W（Tc）
供应商器件封装
DFN1010D-3SOT-323TO-252AAU-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘6-PowerUDFNSC-70，SOT-323TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,847
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB360ENEAZ
MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
11,522
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.76634
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
1.1A（Ta）
4.5V，10V
450 毫欧 @ 1.1A，10V
2.7V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±20V
130 pF @ 40 V
-
400mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type E
DMN6040SFDE-7
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
18,946
现货
111,000
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61988
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.3A（Ta）
4.5V，10V
38 毫欧 @ 4.3A，10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6（E 类）
6-PowerUDFN
TO-252
SUD08P06-155L-BE3
MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Vishay Siliconix
2,615
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.2A（Tc）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
1.7W（Ta），20.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。