单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Littelfuse Inc.Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
HiPerFET™, TrenchT2™TrenchTrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）120A（Tc）130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.1 毫欧 @ 25A，10V9.1 毫欧 @ 65A，10V10.1 毫欧 @ 30A，10V10 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.5V @ 250µA4.5V @ 1mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
104 nC @ 10 V130 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V5080 pF @ 25 V6600 pF @ 25 V9000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
830mW（Tc）360W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-236ABTO-263（D2PAK）TO-263AATO-263AA（IXFA）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263 (D2Pak)
SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
5,861
现货
1 : ¥30.29000
剪切带（CT）
800 : ¥18.29993
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
4.5V，10V
10.1 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
9000 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-236AB
BST82,215
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
29,429
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81841
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
190mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263AB
IXTA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Littelfuse Inc.
700
现货
650
工厂
1 : ¥37.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
130A（Tc）
10V
9.1 毫欧 @ 25A，10V
4.5V @ 250µA
104 nC @ 10 V
±30V
5080 pF @ 25 V
-
360W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IXFA130N10T2
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Littelfuse Inc.
415
现货
600
工厂
1 : ¥44.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
130A（Tc）
10V
9.1 毫欧 @ 65A，10V
4.5V @ 1mA
130 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 25 V
-
360W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA（IXFA）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。