单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
HEXFET®OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A（Ta）5A（Ta）56A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 90A，10V11 毫欧 @ 20A，10V29 毫欧 @ 5A，4.5V92 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA2V @ 1mA2.2V @ 93µA2.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 4.5 V21 nC @ 5 V79 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±15V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 25 V650 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V13000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）1.3W（Ta）85W（Tc）167W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8Micro3™/SOT-23PG-TO263-3
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6344TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
128,085
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02907
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
2.5V，4.5V
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1.1V @ 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Infineon Technologies
18,265
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13547
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.7A（Ta）
4.5V，10V
92 毫欧 @ 2.7A，10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y14-40B,115
MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7,232
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.89806
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
56A（Tc）
5V
11 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 1mA
21 nC @ 5 V
±15V
1800 pF @ 25 V
-
85W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
1,062
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥7.73832
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 90A，10V
2.2V @ 93µA
79 nC @ 4.5 V
±20V
13000 pF @ 30 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。