单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IVU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）210mA（Ta）6A（Ta）100A（Ta），430A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，10V2.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.4 毫欧 @ 30A，10V42 毫欧 @ 5A，10V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.2V @ 1mA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.82 nC @ 10 V8.2 nC @ 4.5 V310 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+12V，-8V±12V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V25 pF @ 10 V560 pF @ 15 V12430 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）340mW（Ta）1W（Ta）6.3W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23FSST3
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
86,085
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63495
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
PowerPAK SO-8
SIR178DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Vishay Siliconix
1,175
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.14052
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100A（Ta），430A（Tc）
2.5V，10V
0.4 毫欧 @ 30A，10V
1.5V @ 250µA
310 nC @ 10 V
+12V，-8V
12430 pF @ 10 V
-
6.3W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
DMN67D8L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Diodes Incorporated
67,174
现货
465,000
工厂
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27391
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
210mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
340mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
RUC002N05T116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
561,115
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26523
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。