单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®STripFET™ F6TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）320mA（Ta）4.8A（Ta）19.4A（Ta），100A（Tc）30A（Ta），127A（Tc）40A（Tc）42A（Tc）45，6A（Ta），186A（Tc）46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V2.5V，10V4.5V，10V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 20A，10V3.5 毫欧 @ 20A，10V3.9 毫欧 @ 50A，10V7.5 毫欧 @ 20A，10V9.9 毫欧 @ 20A，10V18 毫欧 @ 5A，10V41毫欧 @ 3A，10V2 欧姆 @ 100mA，4V4.2 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.3V @ 14µA2.5V @ 250µA3.8V @ 36µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 10 V0.9 nC @ 4.5 V3.1 nC @ 4.5 V22 nC @ 4.5 V29.5 nC @ 10 V45 nC @ 10 V100 nC @ 10 V130 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 30 V64 pF @ 25 V1160 pF @ 30 V1300 pF @ 30 V2080 pF @ 40 V2850 pF @ 25 V5900 pF @ 30 V5950 pF @ 50 V7600 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
340mW（Ta），2.3W（Tc）500mW（Ta）780mW（Ta），12.5W（Tc）2.5W（Ta），104W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）7.4W（Ta），132W（Tc）36W（Tc）69W（Tc）75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）9-WLCSP（1.48x1.48）PG-TSDSON-8-26PG-TSDSON-8-FLPowerFlat™（5x6）PowerPAK® SO-8SOT-883X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN9-XFBGA，WLCSPPowerPAK® SO-8SC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN62D1LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Diodes Incorporated
111,477
现货
3,540,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.47501
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
1.5V，4V
2 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±20V
64 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
TSDSON-8
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
19,539
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.97945
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
46A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
BSZ075N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
65,652
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.26864
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Tc）
6V，10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 36µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 40 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-26
8-PowerTDFN
8 PowerVDFN
STL42P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
STMicroelectronics
20,608
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.12160
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
42A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
2850 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
SC-101 SOT-883
NX138AKMYL
NX138AKM/SOT883/XQFN3
Nexperia USA Inc.
34,604
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.20525
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
2.5V，10V
4.2 欧姆 @ 190mA，10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
15 pF @ 30 V
-
340mW（Ta），2.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
PowerPAK SO-8
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Vishay Siliconix
8,241
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.39637
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
45，6A（Ta），186A（Tc）
4.5V，10V
1.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 30 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-PQFN
FDMS039N08B
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
onsemi
1,770
现货
51,000
工厂
1 : ¥19.29000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.68474
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
19.4A（Ta），100A（Tc）
10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
4.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
7600 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PowerPAK-SO-8S-Single
SIRS700DP-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
3,646
现货
1 : ¥27.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥13.18350
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Ta），127A（Tc）
7.5V，10V
3.5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 50 V
-
7.4W（Ta），132W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
9-WLCSP
PMCM950ENEZ
MOSFET N-CH 60V 4.8A 9WLCSP
Nexperia USA Inc.
0
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.8A（Ta）
4.5V，10V
41毫欧 @ 3A，10V
1.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 30 V
-
780mW（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
9-WLCSP（1.48x1.48）
9-XFBGA，WLCSP
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。