单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIIIU-MOSVIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）190mA（Ta），300mA（Tc）200mA（Ta）240mA（Ta）250mA（Ta）500mA（Ta）2A（Ta）4A（Ta）6A（Ta）7A（Ta）10A（Ta）36A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.5V，5V1.8V，10V1.8V，4.5V2.5V，4V4V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 10A，10V20 毫欧 @ 4A，10V35 毫欧 @ 2.5A，10V42 毫欧 @ 5A，10V42.7 毫欧 @ 3A，4.5V55 毫欧 @ 4A，4.5V300 毫欧 @ 1A，10V630 毫欧 @ 200mA，5V1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V1.4 欧姆 @ 200mA，10V1.4 欧姆 @ 250mA，10V3.6 欧姆 @ 10mA，4V4 欧姆 @ 10mA，4V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 1mA1.2V @ 1mA1.5V @ 100µA2V @ 100µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.34 nC @ 4.5 V0.43 nC @ 4.5 V0.82 nC @ 10 V1.23 nC @ 4 V8.2 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V12.8 nC @ 4.5 V20.4 nC @ 4.5 V24.2 nC @ 10 V126.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-20V±10V±12V+20V，-25V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.5 pF @ 3 V13 pF @ 5 V13.5 pF @ 3 V20 pF @ 10 V22 pF @ 25 V30 pF @ 10 V36 pF @ 10 V46 pF @ 10 V190 pF @ 30 V330 pF @ 10 V560 pF @ 15 V840 pF @ 10 V1020 pF @ 10 V1150 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）150mW（Ta）265mW（Ta），1.33W（Tc）320mW（Ta）500mW（Ta）1W（Ta）1.25W（Ta）1.5W（Ta）2.18W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOP-F6-UDFNB（2x2）CST3EMT3F（SOT-416FL）PowerDI5060-8SOT-23FSOT-323TO-236ABUF6VESMVMT3
封装/外壳
6-SMD，扁平引线6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFNSC-101，SOT-883SC-70，SOT-323SC-89，SOT-490SOT-23-3 扁平引线SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
76,378
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
244,134
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V，-20V
330 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
89,193
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62274
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
186,091
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.20314
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
250mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
19,095
现货
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.21509
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
4 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
8.5 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
320,160
现货
160,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.18668
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
240mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
39,433
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.34194
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
3.6 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
100mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101，SOT-883
VMT3 Pkg
RSM002P03T2L
MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
19,258
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.07754
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
200mA（Ta）
4V，10V
1.4 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
30 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
EMT3F
RE1E002SPTCL
MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Rohm Semiconductor
10,944
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47644
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
250mA（Ta）
4V，10V
1.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
30 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
6,000
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75549
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
42.7 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
UF6
6-SMD，扁平引线
439,962
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.52095
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
500mA（Ta）
1.5V，5V
630 毫欧 @ 200mA，5V
1V @ 1mA
1.23 nC @ 4 V
±10V
46 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
10,409
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62274
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
55 毫欧 @ 4A，4.5V
-
-
±12V
190 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
39,005
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18673
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4V，10V
20 毫欧 @ 4A，10V
2.2V @ 250µA
20.4 nC @ 4.5 V
+20V，-25V
1150 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
VMT3 Pkg
2SK3541T2L
MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
149,580
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.64429
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
6-TSOP-F
SSM6J808R,LF
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Toshiba Semiconductor and Storage
10,838
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68514
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
7A（Ta）
4V，10V
35 毫欧 @ 2.5A，10V
2V @ 100µA
24.2 nC @ 10 V
+10V，-20V
1020 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP-F
6-SMD，扁平引线
DMPH4015SPSQ-13
DMP3010LPSQ-13
MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
1,740
现货
4,165,000
工厂
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.69004
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
36A（Ta）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 250µA
126.2 nC @ 10 V
±20V
6234 pF @ 15 V
-
2.18W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。