单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedEPCInfineon Technologiesonsemi
系列
-eGaN®OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）9A（Tc）16A（Ta）17A（Ta），49A（Tc），59A（Tc）78A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.9 毫欧 @ 50A，10V7 毫欧 @ 16A，5V7.2 毫欧 @ 28A，10V240 毫欧 @ 5A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 5mA3V @ 250µA4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V6.5 nC @ 5 V9.4 nC @ 10 V17.5 nC @ 10 V24 nC @ 6 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V685 pF @ 50 V830 pF @ 20 V1239 pF @ 25 V2635 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）3W（Ta），38W（Tc）42W（Tc）83W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PG-TDSON-8-6SOT-23TO-252-3模具
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMP10H400SK3-13
MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Diodes Incorporated
65,663
现货
405,000
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.95702
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9A（Tc）
4.5V，10V
240 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1239 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
37,714
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.40943
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
17A（Ta），49A（Tc），59A（Tc）
4.5V，10V
5.9 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 20 V
-
3W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,221
现货
1 : ¥30.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.97464
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
16A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
8-PQFN
FDMS86182
MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
onsemi
4,402
现货
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.29492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
78A（Tc）
6V，10V
7.2 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 150µA
24 nC @ 6 V
±20V
2635 pF @ 50 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
93,554
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.18956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。