单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V150 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）8A（Ta），50A（Tc）35A（Tc）36A（Ta），345A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 120A，10V17.5 毫欧 @ 20A，10V97 毫欧 @ 10A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V50 nC @ 10 V130 nC @ 10 V275 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V3369 pF @ 75 V5650 pF @ 25 V10655 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.5W（Ta），107W（Tc）3.8W（Ta），341W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
DirectFET™ 等距 L8PowerDI5060-8（UX 类）SOT-23TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNDirectFET™ 等距 L8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI5060 UX
DMTH15H017LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Diodes Incorporated
3,313
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.42040
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
8A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
17.5 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3369 pF @ 75 V
-
1.5W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerDI5060-8（UX 类）
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SQM35N30-97_GE3
MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Vishay Siliconix
1,482
现货
1 : ¥30.29000
剪切带（CT）
800 : ¥18.30058
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
35A（Tc）
10V
97 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
5650 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
DIRECTFET L8
AUIRF7749L2TR
MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET
Infineon Technologies
6,838
现货
1 : ¥60.01000
剪切带（CT）
4,000 : ¥31.89994
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Ta），345A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 120A，10V
4V @ 250µA
275 nC @ 10 V
±20V
10655 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），341W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DirectFET™ 等距 L8
DirectFET™ 等距 L8
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
93,693
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.18956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。