单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）3.6A（Ta）5A（Ta）10A（Tc）76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3V，8V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V20 毫欧 @ 5A，10V30 毫欧 @ 4A，8V35 毫欧 @ 4A，4.5V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.15V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 4.5 V15.4 nC @ 4.5 V33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V340 pF @ 15 V1610 pF @ 10 V1790 pF @ 10 V1880 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）810mW（Ta）2.4W（Ta），17W（Tc）2.8W（Ta），69W（Tc）13.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-WSON（2x2）8-VSONP（3x3.3）PowerPAK® SC-70-6SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNPowerPAK® SC-70-6SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
913,176
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMP2035U-7
MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Diodes Incorporated
63,240
现货
681,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
15.4 nC @ 4.5 V
±8V
1610 pF @ 10 V
-
810mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
50,698
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98840
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
76A（Tc）
1.8V，4.5V
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
PowerPak SC-70-6 Single
SQA403EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
15,090
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68659
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1880 pF @ 10 V
-
13.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
6-WSON
CSD17313Q2T
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Texas Instruments
24,025
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
250 : ¥4.21920
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
3V，8V
30 毫欧 @ 4A，8V
1.8V @ 250µA
2.7 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 15 V
-
2.4W（Ta），17W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。