单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
-OptiMOS®-P2TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA(Ta)15A(Tc)26A(Tc)34A(Tc)40A(Tc)65A(Tc)86A(Tc)90A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 25A,10V4.3 毫欧 @ 90A,10V4.4 毫欧 @ 25A,10V7.5 毫欧 @ 20A,10V14 毫欧 @ 15A,10V21.5 毫欧 @ 10A,10V28 毫欧 @ 20A,10V31 毫欧 @ 5A,10V72 毫欧 @ 5A,10V6 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA2.2V @ 250µA2.8V @ 1mA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.9 nC @ 5 V12 nC @ 5 V13.5 nC @ 5 V31 nC @ 5 V39 nC @ 10 V44.8 nC @ 10 V49.4 nC @ 10 V73 nC @ 10 V176 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20 pF @ 25 V898 pF @ 25 V1500 pF @ 25 V1804 pF @ 25 V2781 pF @ 25 V3155 pF @ 25 V3583 pF @ 25 V4112 pF @ 25 V4570 pF @ 25 V11570 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)45W(Tc)62W(Tc)65W(Tc)100W(Tc)125W(Tc)147W(Tc)167W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
LFPAK33LFPAK56,Power-SO8PG-TO252-3-313SOT-23-3(TO-236)TO-252(DPAK)
封装/外壳
SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
10,755
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68128
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 100mA,10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y3R5-40E,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
18,387
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.60231
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
49.4 nC @ 10 V
±20V
3583 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IPD90P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
8,922
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.38390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
+5V,-16V
11570 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y25-60E,115
MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
47,431
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.20872
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
34A(Tc)
5V
21.5 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 1mA
12 nC @ 5 V
±10V
1500 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y72-80E,115
MOSFET N-CH 80V 15A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,953
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.22420
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
15A(Tc)
5V,10V
72 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
7.9 nC @ 5 V
±10V
898 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK33
BUK9M35-80EX
MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,835
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.76331
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
26A(Tc)
5V
31 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
13.5 nC @ 5 V
±10V
1804 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y4R4-40EX
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7,074
现货
1 : ¥9.61000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.20539
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
10V
4.4 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
39 nC @ 10 V
±20V
2781 pF @ 25 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y8R7-60E,115
MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,500
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.56498
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
86A(Tc)
5V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
2.1V @ 1mA
31 nC @ 5 V
±10V
4570 pF @ 25 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
DPAK
STD40P8F6AG
MOSFET P-CH 80V DPAK
STMicroelectronics
1,886
现货
1 : ¥15.02000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.77906
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
40A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
4112 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y14-80EX
MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
500
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.69819
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
65A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
44.8 nC @ 10 V
±20V
3155 pF @ 25 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。