单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS®-P2PolarSIPMOS®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V80 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）250mA（Ta）700mA（Ta）6A（Ta）15A（Tc）23A（Tc）26A（Tc）46A（Tc）62A（Tc）66A（Tc）80A（Tc）110A（Tc）120A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4V，10V4.5V，10V5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 25A，10V6.8 毫欧 @ 80A，10V6.9 毫欧 @ 30A，10V12.5 毫欧 @ 10A，10V12.5 毫欧 @ 20A，10V14 毫欧 @ 15A，10V36 毫欧 @ 5A，10V38 毫欧 @ 10A，10V170 毫欧 @ 13A，10V240 毫欧 @ 10.6A，10V700 毫欧 @ 1.5A，10V2.4 欧姆 @ 250mA，10V7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 130µA2.1V @ 1.54mA2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 1mA2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 5 V4.6 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V20 nC @ 10 V28.9 nC @ 5 V35 nC @ 10 V45 nC @ 10 V48 nC @ 10 V56 nC @ 10 V80 nC @ 10 V278 nC @ 10 V345 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V36 pF @ 25 V235 pF @ 50 V550 pF @ 10 V700 pF @ 25 V1280 pF @ 25 V2100 pF @ 25 V2325 pF @ 25 V2740 pF @ 25 V4640 pF @ 25 V5700 pF @ 25 V11400 pF @ 25 V14400 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）400mW（Ta）1.2W（Ta）3.75W（Ta），375W（Tc）45W（Tc）55W（Tc）88W（Tc）128W（Tc）135W（Tc）147W（Tc）300W（Tc）405W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKLFPAK56，Power-SO8PG-TO252-3PG-TO252-3-11PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23FSST3TO-236ABTO-263（D2PAK）TO-263AA
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-100，SOT-669SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
31,738
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.29846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
PowerPak SO-8L
SQJ476EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,470
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.83110
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23A（Tc）
4.5V，10V
38 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO252-3
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Infineon Technologies
22,468
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.21329
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
-
6.8 毫欧 @ 80A，10V
2V @ 130µA
80 nC @ 10 V
+5V，-16V
5700 pF @ 25 V
-
88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
63,945
现货
1 : ¥30.13000
剪切带（CT）
800 : ¥18.18246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
110A（Tc）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
6,872
现货
1 : ¥33.74000
剪切带（CT）
800 : ¥20.35078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tj）
10V
4.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
278 nC @ 10 V
±20V
14400 pF @ 50 V
-
405W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IXTA26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Littelfuse Inc.
611
现货
1 : ¥54.35000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
26A（Tc）
10V
170 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
660,613
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30406
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
10V
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
RK7002BMHZGT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
40,022
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31153
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJA84EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,951
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.94448
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
46A（Tc）
4.5V，10V
12.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
55W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y14-80E,115
MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
8,162
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.25229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
62A（Tc）
5V
14 毫欧 @ 15A，10V
2.1V @ 1mA
28.9 nC @ 5 V
±10V
4640 pF @ 25 V
-
147W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
TO252-3
SPD15P10PGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Infineon Technologies
9,658
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.14051
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Tc）
10V
240 毫欧 @ 10.6A，10V
2.1V @ 1.54mA
48 nC @ 10 V
±20V
1280 pF @ 25 V
-
128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
DMN10H700S-13
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Diodes Incorporated
9,464
现货
2,020,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40331
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
700mA（Ta）
6V，10V
700 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 50 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK-SO-8L
SQJ186ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
1,676
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.81290
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
66A（Tc）
4.5V，10V
12.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2325 pF @ 25 V
-
135W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。