单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-SIPMOS®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
280mA(Ta)300mA(Tc)600mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1 欧姆 @ 600mA,10V3.5 欧姆 @ 200mA,10V5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 26µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 10 V3.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
43 pF @ 25 V50 pF @ 10 V141 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)625mW(Ta)830mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SOT323SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
586,063
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37855
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Tc)
10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
79,569
现货
597,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.57004
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
600mA(Ta)
6V,10V
1 欧姆 @ 600mA,10V
4V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS138WH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Infineon Technologies
148,419
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54070
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
280mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 200mA,10V
1.4V @ 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。