单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）2.5A（Ta）7.7A（Ta）8A（Tc）12A（Ta），50A（Tc）14A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.7 毫欧 @ 20A，10V10 毫欧 @ 50A，10V25 毫欧 @ 5A，10V50 毫欧 @ 2.5A，4.5V57 毫欧 @ 2.3A，10V63 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 11µA2V @ 11µA2.2V @ 23µA2.2V @ 35µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 5 V3.2 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V45 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
275 pF @ 15 V419 pF @ 10 V470 pF @ 25 V2569 pF @ 30 V3500 pF @ 30 V5100 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1W（Ta）2.1W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23PG-TDSON-8-5PG-TSDSON-8POWERDI3333-8PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
23,125
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79808
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
57 毫欧 @ 2.3A，10V
2V @ 11µA
1.5 nC @ 5 V
±20V
275 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Infineon Technologies
6,245
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.62190
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-TSDSON
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
17,516
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.60715
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
SOT-23-3
BSS205NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Infineon Technologies
31,788
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78962
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
50 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.2V @ 11µA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
419 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMP6023LFG-7
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
3,739
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.76880
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8
SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,548
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.36159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Tc）
4.5V，10V
63 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 25 V
-
33W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。