单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）3A（Ta）90A（Tc）120A（Tc）130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 60A，10V5 毫欧 @ 25A，10V8.7 毫欧 @ 10A，10V102 毫欧 @ 2.5A，4.5V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.2V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V52 nC @ 10 V101.6 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
476 pF @ 10 V550 pF @ 10 V3346 pF @ 40 V6124.6 pF @ 50 V11810 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
490mW（Ta），5W（Tc）1.5W（Ta）170W（Tc）192W（Tc）357W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKSOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
101,520
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43740
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV75UP,215
MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
11,929
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64450
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
102 毫欧 @ 2.5A，4.5V
900mV @ 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
550 pF @ 10 V
-
490mW（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
D2PAK SOT404
BUK765R0-100E,118
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Nexperia USA Inc.
13,184
现货
1 : ¥30.70000
剪切带（CT）
800 : ¥18.54415
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
180 nC @ 10 V
±20V
11810 pF @ 25 V
-
357W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK
MCB130N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Micro Commercial Co
33,124
现货
1 : ¥17.98000
剪切带（CT）
800 : ¥10.03788
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
130A（Tc）
10V
4.6 毫欧 @ 60A，10V
4V @ 250µA
101.6 nC @ 10 V
±20V
6124.6 pF @ 50 V
-
192W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN8R7-80BS,118
MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Nexperia USA Inc.
5,392
现货
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
800 : ¥5.94995
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
90A（Tc）
10V
8.7 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 1mA
52 nC @ 10 V
±20V
3346 pF @ 40 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。