单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22.2A（Ta）， 90.9A（Tc）25.5A（Ta），92.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.65 毫欧 @ 15A，10V7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V112 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2540 pF @ 30 V5020 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
5W（Ta），65.7W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8S
SISS22LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Vishay Siliconix
14,350
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.93882
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25.5A（Ta），92.5A（Tc）
4.5V，10V
3.65 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2540 pF @ 30 V
-
5W（Ta），65.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
SIR5607DP-T1-RE3
SIR5607DP-T1-RE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
5,813
现货
1 : ¥22.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.19009
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
22.2A（Ta）， 90.9A（Tc）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
112 nC @ 10 V
±20V
5020 pF @ 30 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。