单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
CoolMOS™ C3QFET®ThunderFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
100 V200 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.5A(Tc)54.9A(Tc)120A(Tc)131A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.6 毫欧 @ 30A,10V10.1 毫欧 @ 30A,10V85 毫欧 @ 32.6A,10V470 毫欧 @ 5.75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3.9V @ 3.3mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V81 nC @ 10 V190 nC @ 10 V288 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1200 pF @ 25 V3330 pF @ 50 V7000 pF @ 50 V7520 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
3.13W(Ta),120W(Tc)375W(Tc)500W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-263(D2PAK)
封装/外壳
TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
AUIRFP4310Z BACK
SPW55N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Infineon Technologies
517
现货
1 : ¥114.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
54.9A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 32.6A,10V
3.9V @ 3.3mA
288 nC @ 10 V
±20V
7520 pF @ 100 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-263 (D2Pak)
SUM70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Vishay Siliconix
629
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
800 : ¥9.18041
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
131A(Tc)
7.5V,10V
5.6 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
760
现货
1 : ¥33.41000
剪切带(CT)
800 : ¥20.18586
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
4.5V,10V
10.1 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FQB12P20TM
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥16.09000
剪切带(CT)
800 : ¥9.00390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
11.5A(Tc)
10V
470 毫欧 @ 5.75A,10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
3.13W(Ta),120W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。