单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™SIPMOS®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）1.4A（Ta）23A（Ta），100A（Tc）25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 50A，10V25 毫欧 @ 5A，10V220 毫欧 @ 1.6A，10V3.5 欧姆 @ 230mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 26µA2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA3.8V @ 115µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 10 V5 nC @ 5 V8.3 nC @ 10 V92 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
41 pF @ 25 V401 pF @ 25 V664 pF @ 25 V6800 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）1.3W（Ta）2.5W（Ta），156W（Tc）37W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PG-SOT23PG-TDSON-8-6SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
122,532
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54535
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 230mA，10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
108,355
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12975
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
401 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC026N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
8,921
现货
1 : ¥25.78000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.04173
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
23A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.6 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 115µA
92 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y29-40E,115
MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
19,228
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.29239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
25A（Tc）
5V
25 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 1mA
5 nC @ 5 V
±10V
664 pF @ 25 V
-
37W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。