单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™-5PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V40 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）4.5A（Ta）5A（Tc）50A（Tc）90A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 20A，10V9.4 毫欧 @ 17A，10V34 毫欧 @ 3A，4.5V50 毫欧 @ 3.5A，10V261 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.25V @ 250µA2.2V @ 29µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V36.7 nC @ 10 V155 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
225 pF @ 75 V870 pF @ 4 V1465 pF @ 10 V2500 pF @ 30 V6675 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
490mW（Ta），5.435W（Tc）1.5W（Ta）2W（Tc）71W（Tc）136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-33SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236ABTO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV30XPEAR
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
20,458
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.95568
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.5A（Ta）
2.5V，4.5V
34 毫欧 @ 3A，4.5V
1.25V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±12V
1465 pF @ 10 V
-
490mW（Ta），5.435W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2315ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
20,319
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.59853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
5A（Tc）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 3.5A，10V
1V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±8V
870 pF @ 4 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IAUZ40N06S5L050ATMA1
IAUZ40N06S5L050ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Infineon Technologies
4,073
现货
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.36785
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tj）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 29µA
36.7 nC @ 10 V
±16V
2500 pF @ 30 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
TO-252
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
9,679
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
2,000 : ¥11.17790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 17A，10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6675 pF @ 20 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
FDN86246
MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
onsemi
60
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.27780
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.6A（Ta）
6V，10V
261 毫欧 @ 1.6A，10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 75 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。