单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）180mA（Ta）200mA（Ta）1.8A（Tc）7A（Tc）13.2A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 50A，10V42 毫欧 @ 5A，10V134 毫欧 @ 4A，10V500 毫欧 @ 1.1A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V7.5 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 49µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 5 V12 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V55 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36 pF @ 25 V50 pF @ 25 V270 pF @ 25 V720 pF @ 30 V1480 pF @ 50 V4400 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）370mW（Ta）2W（Ta），3.1W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）5W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPPG-TDSON-8-7PowerPAK® 1212-8SOT-223SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
366,774
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
361,984
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
IRFL9014TRPBF
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Vishay Siliconix
68,002
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.05145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 1.1A，10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK 1212-8
SI7113DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Vishay Siliconix
17,328
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.43287
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.2A（Tc）
4.5V，10V
134 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-Power TDFN
BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Infineon Technologies
745
现货
1 : ¥19.29000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.36036
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 49µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
663,613
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30406
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
10V
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSOT-23-6, TSOT-6
SQ3426EV-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Vishay Siliconix
41,509
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.31593
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
720 pF @ 30 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。