单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Ta），5.7A（Tc）5.2A（Tc）5.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
210 毫欧 @ 2.1A，10V540 毫欧 @ 3.4A，10V800 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.8 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V14 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
110 pF @ 30 V180 pF @ 25 V260 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta），15W（Tc）43W（Tc）50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DFN2020MD-6TO-220AB
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D210-60EX
MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN
Nexperia USA Inc.
10,854
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85242
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.1A（Ta），5.7A（Tc）
4.5V，10V
210 毫欧 @ 2.1A，10V
2.7V @ 250µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
110 pF @ 30 V
-
2W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
TO-220AB
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
45,910
现货
1 : ¥6.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF620PBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Vishay Siliconix
227
现货
1 : ¥9.28000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5.2A（Tc）
10V
800 毫欧 @ 3.1A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。