单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V80 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
340mA（Ta）1.9A（Tc）6A（Ta）17A（Tc）30A（Tc）32A（Tc）200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 20A，10V19 毫欧 @ 8A，10V33 毫欧 @ 10A，10V35 毫欧 @ 4A，4.5V100 毫欧 @ 17A，10V250 毫欧 @ 500mA，10V2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 54µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V19 nC @ 10 V23.1 nC @ 4.5 V32 nC @ 10 V150 nC @ 10 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 30 V330 pF @ 20 V1400 pF @ 25 V1500 pF @ 25 V2400 pF @ 10 V4500 pF @ 25 V13500 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
280mW（Tj）320mW（Ta）1.2W（Ta）48W（Tc）68W（Tc）107W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
PG-TO263-3-2PowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SO-8SOT-323TO-236ABTSOT-26
封装/外壳
PowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
260,355
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33850
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.9A（Tc）
10V
250 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±30V
330 pF @ 20 V
-
280mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
38,463
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.01919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB17N25S3100ATMA1
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Infineon Technologies
7,735
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.81331
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
17A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 54µA
19 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 25 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-323
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
40,312
现货
297,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
340mA（Ta）
1.8V，4.5V
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TSOT-26
DMP2035UVT-7
MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Diodes Incorporated
72,624
现货
1,317,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05767
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 4A，4.5V
1.5V @ 250µA
23.1 nC @ 4.5 V
±12V
2400 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
PowerPak SO-8L
SQJA86EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,000
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.45099
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 8 x 8
SQJQ402E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥22.41000
剪切带（CT）
2,000 : ¥10.11731
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
200A（Tc）
4.5V，10V
1.7 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 20 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。