单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIOptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）6A（Tc）10A（Tc）30A（Tc）50A（Tc）75A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 150A，10V8.1 毫欧 @ 16A，10V9.2 毫欧 @ 25A，10V10.5 毫欧 @ 15A，10V30 毫欧 @ 5A，4.5V95 毫欧 @ 3.8A，10V160 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 35µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 4.5 V6.4 nC @ 10 V8.5 nC @ 4.5 V9.5 nC @ 10 V31 nC @ 10 V108 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
254 pF @ 25 V340 pF @ 48 V485 pF @ 10 V880 pF @ 25 V1160 pF @ 20 V4877 pF @ 15 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
650mW（Ta）2W（Tc）4.8W（Ta），41.7W（Tc）35W（Tc）46W（Tc）83W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）DPAKPG-HSOF-8-1PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3125L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Diodes Incorporated
516,738
现货
681,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
254 pF @ 25 V
-
650mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SIR426DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
40,710
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.39552
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
30A（Tc）
4.5V，10V
10.5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 20 V
-
4.8W（Ta），41.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
22,351
现货
1 : ¥49.92000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.53364
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10P6F6
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
STMicroelectronics
7,420
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.26878
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 48 V
-
35W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C673NLWFAFT1G
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
onsemi
1,794
现货
1 : ¥13.71000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.00684
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
9.2 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 35µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
PowerPak SO-8L
SQJ433EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,188
现货
1 : ¥11.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.60209
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
75A（Tc）
4.5V，10V
8.1 毫欧 @ 16A，10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4877 pF @ 15 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
SQ2310ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Vishay Siliconix
17
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.70231
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Tc）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
485 pF @ 10 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。