单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
NexFET™OptiMOS™ThunderFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V125 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
530mA（Ta）13.1A（Tc）60A（Tc）100A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.75 毫欧 @ 150A，10V1.5 毫欧 @ 150A，10V3.5 毫欧 @ 50A，10V11.5 毫欧 @ 20A，10V59 毫欧 @ 5A，10V1.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.3V @ 280µA3.8V @ 115µA3.8V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6 nC @ 10 V12 nC @ 10 V38 nC @ 10 V87 nC @ 10 V211 nC @ 10 V287 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
454 pF @ 50 V510 pF @ 25 V1410 pF @ 75 V6500 pF @ 50 V16000 pF @ 30 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）2.5W（Ta），156W（Tc）2.5W（Ta），20.2W（Tc）104W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-WSON（2x2）PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8-7PowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerSFN8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2325DS-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Vishay Siliconix
21,928
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
530mA（Ta）
6V，10V
1.2 欧姆 @ 500mA，10V
4.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC035N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Infineon Technologies
13,399
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
5,000 : ¥10.49624
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
3.5 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 115µA
87 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
22,145
现货
1 : ¥49.92000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.53364
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
IPT059N15N3ATMA1
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
13,831
现货
1 : ¥52.21000
剪切带（CT）
2,000 : ¥25.40434
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300A（Tc）
6V，10V
0.75 毫欧 @ 150A，10V
3.3V @ 280µA
287 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 30 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
6-WSON
CSD19538Q2T
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Texas Instruments
703
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
250 : ¥6.51956
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.1A（Tc）
6V，10V
59 毫欧 @ 5A，10V
3.8V @ 250µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
454 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），20.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR696DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.43116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
125 V
60A（Tc）
7.5V，10V
11.5 毫欧 @ 20A，10V
4.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1410 pF @ 75 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。