单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）630mA（Ta）6A（Ta）7.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.9V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 7.5A，10V44 毫欧 @ 6A，10V400 毫欧 @ 600mA，4.5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 1mA1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26 pF @ 10 V60.67 pF @ 16 V426 pF @ 30 V1418 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）280mW（Ta）2W（Ta），12.5W（Tc）2.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-DFN（2x2）DFN2020MD-6SOT-523UMT3F
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘SC-85SOT-523
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
630,701
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34817
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
0.9V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
UMT3F
SC-85
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
327,133
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42139
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
76,788
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61437
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
426 pF @ 30 V
-
2.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-DFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB16EPX
MOSFET P-CH 30V 7.5A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
6,000 : ¥1.04075
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.5A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 7.5A，10V
2.5V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±25V
1418 pF @ 15 V
-
2W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。