单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta），300mA（Tc）4.4A（Ta）50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.5 毫欧 @ 10A，10V37 毫欧 @ 4.4A，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V21 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 10 V266 pF @ 15 V1680 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
265mW（Ta），1.33W（Tc）660mW（Ta），8.3W（Tc）2.8W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
84,164
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21034
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSD19537Q3
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Texas Instruments
4,860
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.07443
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Ta）
6V，10V
14.5 毫欧 @ 10A，10V
3.6V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
TO-236AB
PMV28ENEAR
MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
6,495
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79829
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.4A（Ta）
4.5V，10V
37 毫欧 @ 4.4A，10V
2.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
266 pF @ 15 V
-
660mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。