单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™-5TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）360mA（Ta）2.2A（Ta）3.2A（Ta）4.3A（Ta）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V6V，10V7V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 20A，10V45 毫欧 @ 4A，4.5V80 毫欧 @ 4A，10V174 毫欧 @ 3.8A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA3.4V @ 30µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 4.5 V41 nC @ 10 V42 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V634 pF @ 10 V2310 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），1.14W（Tc）370mW（Ta）800mW（Ta）1.9W（Ta）71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
838,222
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33411
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
785,926
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36077
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
IPZ40N04S53R1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
5,645
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.82779
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
7V，10V
3.1 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 30µA
41 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SI7431DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,183
现货
1 : ¥32.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥15.72394
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
2.2A（Ta）
6V，10V
174 毫欧 @ 3.8A，10V
4V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
DMP2045UQ-7
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
33,629
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85546
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
45 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7450DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,728
现货
1 : ¥22.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.31359
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.2A（Ta）
6V，10V
80 毫欧 @ 4A，10V
4.5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。