单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-HEXFET®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
340mA（Ta）360mA（Ta）4.2A（Ta）5.8A（Ta）7A（Tc）22A（Ta），160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.9 毫欧 @ 22A，10V23 毫欧 @ 3A，10V26.5 毫欧 @ 5.8A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V1.6 欧姆 @ 300mA，10V2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.4V @ 150µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V29 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 30 V50 pF @ 10 V808 pF @ 15 V860 pF @ 15 V1500 pF @ 15 V7305 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）720mW（Ta）1.4W（Ta）1.9W（Tc）2.1W（Ta），113W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
DIRECTFET™ MXSOT-23-3SOT-323TO-236AB
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MXSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
835,222
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33411
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
162,029
现货
2,232,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
39,591
现货
204,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
340mA（Ta）
1.8V，4.5V
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMN3042L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Diodes Incorporated
228,182
现货
645,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
2.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5.8A，10V
1.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±12V
860 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF9383MTRPBF
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Infineon Technologies
6,381
现货
1 : ¥23.81000
剪切带（CT）
4,800 : ¥10.33874
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta），160A（Tc）
4.5V，10V
2.9 毫欧 @ 22A，10V
2.4V @ 150µA
130 nC @ 10 V
±20V
7305 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），113W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
GT1003A
G7P03L
P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Goford Semiconductor
5,399
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.90494
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
1.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。