单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET® Gen IVTrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA（Ta）11A（Ta），55A（Tc）25.8A（Ta），93.6A（Tc）84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.75 毫欧 @ 15A，10V10 毫欧 @ 25A，10V12.3 毫欧 @ 33A，10V6 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 1mA3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V44.2 nC @ 5 V52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V1870 pF @ 40 V2300 pF @ 30 V6506 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）2.5W（Ta），66W（Tc）5W（Ta），65.7W（Tc）194W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PG-TDSON-8-1PowerPAK® SO-8TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
271,018
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37730
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 120mA，10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TDSON-8-1
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Infineon Technologies
65,425
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.87771
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
11A（Ta），55A（Tc）
6V，10V
12.3 毫欧 @ 33A，10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerPAK-SO-8-Single_Top
SIR188LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
4,345
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.65906
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25.8A（Ta），93.6A（Tc）
4.5V，10V
3.75 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 30 V
-
5W（Ta），65.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y11-80EX
MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,013
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.27075
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
84A（Tc）
5V
10 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
44.2 nC @ 5 V
±10V
6506 pF @ 25 V
-
194W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。