单 FET,MOSFET

结果 : 13
制造商
Goford SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
CoolMOS™ CEHEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 3PowerTrench®SGTTrenchFET®TrenchP™UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
55 V100 V150 V200 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A(Ta),27A(Tc)11A(Tc)14.1A(Tc)18A(Tc)20A(Tc)24A(Tc)25A(Tc)26A(Tc)33A(Tc)80A(Tc)88A(Tc)140A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 40A,10V11 毫欧 @ 88A,10V12 毫欧 @ 70A,10V42 毫欧 @ 21A,10V42 毫欧 @ 26A,10V52 毫欧 @ 5A,10V65 毫欧 @ 10A,10V77 毫欧 @ 12A,10V95 毫欧 @ 14A,10V175 毫欧 @ 6.6A,10V265 毫欧 @ 9A,10V380 毫欧 @ 3.2A,13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250µA3.5V @ 260µA3.8V @ 84µA4V @ 250µA4.2V @ 260µA4.5V @ 250µA5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 10 V12 nC @ 10 V16 nC @ 10 V19 nC @ 10 V24.8 nC @ 10 V26 nC @ 10 V39 nC @ 10 V40 nC @ 10 V45 nC @ 10 V60 nC @ 10 V64 nC @ 10 V76 nC @ 10 V400 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
350 pF @ 25 V584 pF @ 100 V600 pF @ 75 V650 pF @ 100 V765 pF @ 75 V890 pF @ 25 V985 pF @ 75 V1725 pF @ 25 V1750 pF @ 50 V1760 pF @ 75 V2860 pF @ 25 V4700 pF @ 50 V31400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3W(Ta),136W(Tc)3.1W(Ta),89W(Tc)38W(Tc)38.5W(Tc)56.8W(Tc)63W(Tc)68W(Tc)98W(Tc)140W(Tc)144W(Tc)150W(Tc)250W(Tc)568W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO252-3PG-TO263-3TO-220F-3TO-252TO-252AATO-252AA (DPAK)TO-268AA
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR9024NTRPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
21,339
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.17642
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
11A(Tc)
10V
175 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FDD86252
MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
onsemi
63,715
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.60980
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
5A(Ta),27A(Tc)
6V,10V
52 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
985 pF @ 75 V
-
3.1W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Infineon Technologies
15,540
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.62752
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
33A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 21A,10V
5V @ 100µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Infineon Technologies
5,023
现货
1 : ¥19.95000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.98800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
80A(Tc)
6V,10V
5 毫欧 @ 40A,10V
3.8V @ 84µA
64 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 50 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220F
FDPF18N50
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
onsemi
2,989
现货
1 : ¥23.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
18A(Tc)
10V
265 毫欧 @ 9A,10V
5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2860 pF @ 25 V
-
38.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Infineon Technologies
2,995
现货
1 : ¥67.57000
剪切带(CT)
1,000 : ¥38.31729
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 88A,10V
4.2V @ 260µA
76 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-268
IXTT140P10T
MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Littelfuse Inc.
355
现货
1 : ¥163.38000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
140A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±15V
31400 pF @ 25 V
-
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO252-3
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Infineon Technologies
20,527
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.67848
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
14.1A(Tc)
13V
380 毫欧 @ 3.2A,13V
3.5V @ 260µA
24.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 100 V
-
98W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FDD770N15A
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
onsemi
3,681
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.74866
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
18A(Tc)
10V
77 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
765 pF @ 75 V
-
56.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR24N15DTRPBF
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
Infineon Technologies
1,729
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.76054
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
24A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 14A,10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FDD390N15ALZ
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
onsemi
3,762
现货
15,000
工厂
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.96992
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
26A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 26A,10V
2.8V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
1760 pF @ 75 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SUD25N15-52-BE3
MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Vishay Siliconix
3,290
现货
1 : ¥19.87000
剪切带(CT)
2,000 : ¥8.95271
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
25A(Tc)
6V,10V
52 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
25P06
GT650N15K
N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.
Goford Semiconductor
1,947
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.83583
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
20A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 10A,10V
4.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 75 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 13

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。