单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1A（Ta）2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V1.8V，4.5V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 2.5A，4.5V400 毫欧 @ 600mA，4.5V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 100µA900mV @ 250µA1.2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 10 V3.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
41 pF @ 3 V56 pF @ 16 V419 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）500mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN2450UFB4-7R
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Diodes Incorporated
4,512
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40896
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
900mV @ 250µA
1.3 nC @ 10 V
±12V
56 pF @ 16 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN2005LP4K-7
MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Diodes Incorporated
29,618
现货
1,209,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60306
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
900mV @ 100µA
-
±10V
41 pF @ 3 V
-
400mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
SOT-23-3
BSS205NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Infineon Technologies
32,766
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78962
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
50 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.2V @ 11µA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
419 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。