单 FET,MOSFET

结果 : 26
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®SIPMOS®TrenchFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V100 V150 V200 V220 V240 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35mA(Ta)60mA(Ta)110mA(Ta)120mA(Tj)180mA(Ta)190mA(Ta)190mA(Ta),300mA(Tc)200mA(Ta)250mA(Ta)270mA(Ta)480mA(Ta)500mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.5V,5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.7V,10V3.3V,10V4.5V,10V5V,10V6V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 20A,10V11 毫欧 @ 20A,10V59 毫欧 @ 3.1A,10V75 毫欧 @ 4.2A,10V155 毫欧 @ 2A,10V220 毫欧 @ 1.6A,10V240 毫欧 @ 2A,4.5V315 毫欧 @ 2.4A,10V630 毫欧 @ 200mA,5V700mOhm @ 1A, 10V750 毫欧 @ 430mA,4.5V1.2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA1.8V @ 56µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.4V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.43 nC @ 4.5 V0.622 nC @ 4.5 V1.23 nC @ 4 V1.7 nC @ 15 V2.5 nC @ 4.5 V3.1 nC @ 10 V3.7 nC @ 10 V4.1 nC @ 10 V5.5 nC @ 10 V6.6 nC @ 10 V7.6 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V12 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±10V±12V±16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12 pF @ 10 V20 pF @ 10 V23 pF @ 25 V45 pF @ 25 V46 pF @ 10 V50 pF @ 25 V59.76 pF @ 16 V76.8 pF @ 25 V77 pF @ 25 V110 pF @ 25 V187.3 pF @ 25 V188 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
100mW(Ta)150mW(Ta)250mW(Ta)265mW(Ta),1.33W(Tc)310mW(Ta)330mW(Ta)350mW(Ta)360mW(Ta)750mW(Ta)760mW(Ta)770mW(Ta)920mW1.15W(Ta)1.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
DFN5060PG-SOT23PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 1212-8SC-75ASOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-323TO-236ABTO-236AB(SOT23)TSOT-26VESMVML1006
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SC-75,SOT-416SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-723TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
26结果

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/ 26
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
74,400
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.20992
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta),300mA(Tc)
5V,10V
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW(Ta),1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
246,550
现货
2,247,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46761
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
106,589
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.12971
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
220 毫欧 @ 1.6A,10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
401 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZVN3320FTA
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
Diodes Incorporated
41,398
现货
7,191,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18430
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
60mA(Ta)
10V
25 欧姆 @ 100mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZVP1320FTA
MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Diodes Incorporated
40,881
现货
177,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.50472
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35mA(Ta)
10V
80 欧姆 @ 50mA,10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2364EES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,185
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77583
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Tc)
1.5V,4.5V
240 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 25 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2325DS-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Vishay Siliconix
21,868
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28224
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
530mA(Ta)
6V,10V
1.2 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN86265P
MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
onsemi
12,796
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.42484
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
800mA(Ta)
6V,10V
1.2 欧姆 @ 800mA,10V
4V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±25V
210 pF @ 75 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11,035
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.12542
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
8.9A(Tc)
7.5V,10V
315 毫欧 @ 2.4A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
880 pF @ 75 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
439,812
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.49431
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
500mA(Ta)
1.5V,5V
630 毫欧 @ 200mA,5V
1V @ 1mA
1.23 nC @ 4 V
±10V
46 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
27,824
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68273
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
110mA(Ta)
4.5V,10V
14 欧姆 @ 100mA,10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
RV2C001ZPT2L
RV2C002UNT2L
MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Rohm Semiconductor
18,726
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.57945
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
180mA(Ta)
1.2V,4.5V
2 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VML1006
SC-101,SOT-883
SOT-23-3
DMPH6250S-7
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23
Diodes Incorporated
10,815
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89900
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.4A(Ta)
4.5V,10V
155 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
512 pF @ 30 V
-
920mW
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSOT-26
DMP3105LVT-7
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Diodes Incorporated
27,570
现货
123,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57384
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
2.5V,10V
75 毫欧 @ 4.2A,10V
1.5V @ 250µA
19.8 nC @ 10 V
±12V
839 pF @ 15 V
-
1.15W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
DMN24H11DSQ-7
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Diodes Incorporated
7,563
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.30892
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
270mA(Ta)
4.5V,10V
11 欧姆 @ 300mA,10V
3V @ 250µA
3.7 nC @ 10 V
±20V
76.8 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5868
SI1021R-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Vishay Siliconix
22,125
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46761
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
4 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
SOT-23-3
DMN30H4D0L-7
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Diodes Incorporated
17,513
现货
141,000
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46436
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
250mA(Ta)
2.7V,10V
4 欧姆 @ 300mA,10V
3V @ 250µA
7.6 nC @ 10 V
±20V
187.3 pF @ 25 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN24H11DS-7
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,080
现货
297,000
工厂
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17125
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
270mA(Ta)
4.5V,10V
11 欧姆 @ 300mA,10V
3V @ 250µA
3.7 nC @ 10 V
±20V
76.8 pF @ 25 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT23 PKG
TP5322K1-G
MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
Microchip Technology
5,227
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.59733
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
220 V
120mA(Tj)
4.5V,10V
12 欧姆 @ 200mA,10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB(SOT23)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
TN2404K-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Vishay Siliconix
8,335
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71757
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
200mA(Ta)
2.5V,10V
4 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
TN2404K-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Vishay Siliconix
6,717
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71757
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
200mA(Ta)
2.5V,10V
4 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSDSON-8
BSZ019N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Infineon Technologies
88,375
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.52295
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta). 40A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
SOT-23-3
DMN3061S-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
5,956
现货
39,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60871
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.3A(Ta)
3.3V,10V
59 毫欧 @ 3.1A,10V
1.8V @ 250µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
233 pF @ 15 V
-
770mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G6N02L
G01N20LE
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Goford Semiconductor
2,885
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85710
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
1.7A(Tc)
4.5V,10V
700mOhm @ 1A, 10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
580 pF @ 25 V
-
1.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN24H3D5L-13
MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Diodes Incorporated
0
现货
390,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥1.31782
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
480mA(Ta)
3.3V,10V
3.5 欧姆 @ 300mA,10V
2.5V @ 250µA
6.6 nC @ 10 V
±20V
188 pF @ 25 V
-
760mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。