单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm Semiconductor
系列
-CoolSiC™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)4A(Ta),11A(Tc)5.2A(Tc)40.2A(Ta),263A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V4.5V,10V12V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 23A,10V56 毫欧 @ 4A,10V1000毫欧 @ 1A,15V3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 12 V12 nC @ 10 V217 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V+20V,-10V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7.1 pF @ 10 V275 pF @ 1000 V435 pF @ 30 V14950 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)2W(Ta),15W(Tc)3.3W(Ta),138.9W(Tc)68W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)DFN2020MD-6PG-TO263-7-13VMT3
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN,5 引线SOT-723TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D56-60EX
MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN
Nexperia USA Inc.
108,643
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10427
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta),11A(Tc)
4.5V,10V
56 毫欧 @ 4A,10V
2.7V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 30 V
-
2W(Ta),15W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS002P03P8ZT1G
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
onsemi
5,793
现货
1 : ¥25.37000
剪切带(CT)
1,500 : ¥13.09459
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
40.2A(Ta),263A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 23A,10V
3V @ 250µA
217 nC @ 4.5 V
±25V
14950 pF @ 15 V
-
3.3W(Ta),138.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
1,035
现货
1 : ¥39.32000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.34800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5.2A(Tc)
12V,15V
1000毫欧 @ 1A,15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V,-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
724,975
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34654
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。