单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）300mA（Tc）310mA（Ta）1.5A（Ta）2.6A（Ta）3.5A（Ta）4.1A（Ta）5.3A（Ta）6A（Ta）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.4 毫欧 @ 14.4A，10V21毫欧 @ 6A，10V42 毫欧 @ 4.1A，10V42 毫欧 @ 5A，10V45 毫欧 @ 4.2A，10V49 毫欧 @ 3.5A，10V70 毫欧 @ 2.5A，10V125 毫欧 @ 1.5A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V4 nC @ 5 V5.6 nC @ 10 V6.3 nC @ 10 V8.2 nC @ 4.5 V10.8 nC @ 10 V13 nC @ 10 V19.2 nC @ 10 V71 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V182 pF @ 15 V209 pF @ 15 V225 pF @ 15 V435 pF @ 15 V450 pF @ 30 V560 pF @ 15 V793 pF @ 15 V3345 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
220mW（Ta），1.06W（Tc）350mW（Ta）480mW（Ta），1.2W（Tc）500mW（Ta）510mW（Ta），5W（Tc）510mW（Ta），6.94W（Tc）710mW（Ta），8.3W（Tc）750mW（Ta）830mW（Ta）1W（Ta）3.8W（Ta），52.1W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-23FSOT-323TO-236AB
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SC-70，SOT-323SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
586,058
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37855
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
94,985
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63495
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TO-236AB
PMV37ENEAR
MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
23,058
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94254
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
49 毫欧 @ 3.5A，10V
2.7V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 30 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV45EN2R
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
48,238
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93655
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.1A（Ta）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.1A，10V
2V @ 250µA
6.3 nC @ 10 V
±20V
209 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
165,545
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82651
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
21毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），6.94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
70,243
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.00830
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.6A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
4 nC @ 5 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
NX7002AKW,115
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323
Nexperia USA Inc.
95,846
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
220mW（Ta），1.06W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SC70, SOT−323, 419−04
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
47,225
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.67386
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
FDN358P
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
onsemi
10,286
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35027
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
125 毫欧 @ 1.5A，10V
3V @ 250µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
182 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV35EPER
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
3,992
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06396
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.3A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
19.2 nC @ 10 V
±20V
793 pF @ 15 V
-
480mW（Ta），1.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
10,780
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.22577
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Tc）
4.5V，10V
11.4 毫欧 @ 14.4A，10V
2.8V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3345 pF @ 15 V
-
3.8W（Ta），52.1W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。